国家知识产权局信息显示，一塔半导体（安徽）有限公司申请一项名为“用于MOCVD设备的低热传导旋转导气座及MOCVD设备”的专利，公开号CN121519018A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于MOCVD设备的低热传导旋转导气座及MOCVD设备，包括：基座接触座，其内部设有用于向基座输送气体的导气通道；导气管固定座，设置于所述基座接触座的下方；导气管，其上端与所述导气通道连通，且所述导气管的顶端抵接所述基座接触座，所述导气管的底端抵接所述导气管固定座；隔热连接结构，设置于所述基座接触座与所述导气管固定座之间，使两者的相邻表面之间形成分离的隔热间隙；扩展散热面结构，设置于所述导气管固定座上，用于增加所述导气管固定座的散热表面积。具有有效减少高温基座向底部精密部件的热传导路径、减少热量传递、保护磁流体密封件等敏感组件、提高设备运行稳定性和使用寿命的优点。
天眼查资料显示，一塔半导体（安徽）有限公司，成立于2024年，位于合肥市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本613.33万人民币。通过天眼查大数据分析，一塔半导体（安徽）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息23条，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可2个。
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